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　　来源：财经杂志

　　存储超级周期下 ，国产NAND闪存龙头企业长江存储提交IPO上市辅导备案，正式开启上市进程

　　文|《财经》研究员 康国亮

　　编辑|杨秀红

　　继长鑫科技之后
，“国产存储双雄”之一的长江存储（全称“长江存储控股股份有限公司 ”）也正式开启上市进程
。

　　5月19日，根据证监会官网 ，长江存储发布首次公开发行股票并上市辅导备案报告
，辅导机构为中信证券和中信建投证券。

　　据胡润研究院发布的《2025全球独角兽榜》，长江存储彼时以1600亿元估值首次入围 ，位列中国十大独角兽第九
，与滴滴估值相当 。国盛证券等多家机构预测其IPO（首次公开募股）估值约3000亿元
。

　　备案报告显示，长江存储成立于2016年12月21日 ，注册资本178.20亿元
，法定代表人为陈南翔。

　　公开资料显示，长江存储是中国3D NAND闪存领域的龙头企业 ，与专注于DRAM领域的长鑫科技并称“国产存储双雄
” 。据了解
，NAND闪存主要用于消费电子的存储硬盘，而DRAM则主要用于消费电子的运行内存 ，二者是两类主流的存储芯片
。

　　“长鑫科技和长江存储是中国存储芯片的两大支柱，一个主攻DRAM
、一个主攻NAND闪存
，肩负着中国在存储芯片领域自主可控的历史性任务，现在它们正处于产业周期、业绩释放以及IPO上市三重因素的最佳窗口期。”一位机构投资者对《财经》表示 。

　　根据官网显示 ，长江存储业务集芯片设计 、生产制造
、封装测试及系统解决方案产品于一体
，是存储芯片IDM（设计制造一体化）企业
。其为客户提供包括3D NAND闪存晶圆及颗粒，嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案 ，广泛应用于移动通信 、消费数码
、计算机、服务器及数据中心等领域。

　　根据IPO前的股东结构显示
，与长鑫科技类似，长江存储亦无控股股东 ，但背后站着武汉国资以及国家大基金 。其第一大股东为湖北长晟发展有限责任公司
，直接持有长江存储26.54%的股份
。第二大股东为武汉芯飞科技投资有限公司，持有25.35%股份。国家集成电路产业投资基金股份有限公司 、国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司分别为长江存储第三
、第四大股东 ，分别持有11.97%、11.38%股份 。此外
，武汉光谷产业投资有限公司 、湖北国芯产业投资基金合伙企业、长江产业投资集团有限公司等国资亦为长江存储的股东。

　　技术层面，长江存储成立以来进展迅速 ，今年有望量产300层NAND产品，对标三星等海外存储巨头
。截至目前
，长江存储已在武汉
、北京等地设有研发中心，全球共有员工8000余人 ，其中研发工程技术人员6000余人。

　　目前
，全球主要的NAND IDM 原厂包括三星、SK海力士 、铠侠
、美光等海外存储巨头，长江存储作为国产NAND厂商 ，正在这一领域快速追赶国际竞争对手
，实现国产NAND闪存自主可控 。

　　根据TrendForce（集邦咨询）数据显示，2025年三季度在NAND闪存市场上 ，三星、SK海力士（含Solidigm） 、铠侠
、美光、闪迪的市场份额分别为32.3% 、19.0%
、15.3%、13.0% 、12.4%
，长江存储以7.3%的市场份额排名第六
。

　　事实上，长江存储和长鑫科技两大存储巨头IPO上市正好赶上了全球人工智能浪潮引发的存储超级周期 ，使得全球存储芯片原厂迈入了历史罕见的“暴利 ”时代。

　　此前
，5月17日，长鑫科技更新科创板IPO招股书显示 ，其预计2026年上半年营业收入将达到1100亿元至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%；实现归属于母公司所有者的净利润为500亿元至570亿元
，同比变动2244.03%至2544.19%；扣非后归母净利润则为520亿元至580亿元，同比变动2278.89%至2530.3% 。

　　业内预计 ，长江存储将同样受益于NAND存储芯片价格大幅上涨
，业绩呈现爆发式增长
。据业内人士透露，“长江存储在今年一季度收入已超过200亿元 ，同比上年翻倍增长
，其NAND芯片产量已超过全球市场的10%份额，逼近全球第三。”

　　同时 ，强劲的盈利能力
，也让市场对国产存储龙头企业IPO后的市值充满了期待 。此前，市场预计长鑫科技IPO后的市值或将至少达到1万亿元至3万亿元市值级别
。

　　同时 ，市场也普遍看好这一轮人工智能浪潮在未来数年内对存储行业景气度的拉动。根据TrendForce数据显示
，2026年一季度，传统DRAM合约价累计上涨93%-98% ，NAND Flash（闪存）合约价也累计上涨85%-90%，创近五年单季最大涨幅 。二季度价格还在加速上涨
，预计传统DRAM将继续上涨58%-63%，NAND Flash上涨70%-75%
。

　　高盛认为 ，全球存储芯片市场正面临过去15年来最严重的供应短缺
，2026年DRAM
、NAND闪存和HBM（高带宽内存）的供需缺口分别达4.9%、4.2%和5.1%，均为历史新高。其大幅上调2026年存储芯片价格预测 ，预计DRAM全年涨幅达250%-280%
，NAND闪存涨幅达200%-250%，预计存储芯片短缺至少延续至2027年 ，部分高端产能可能持续到2028年 。