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专题：科技成长主线贯穿二季度 震荡上行中布局细分龙头

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　　新华财经北京5月25日电 25日 ，华为公司正式提出“韬（τ）定律 ”
，这是中国在全球半导体领域首次提出指导产业发展的新原则 。受此影响，年内已大幅上涨的存储芯片板块再度迎来爆发 ，多只概念股涨停
，寒武纪 、兆易创新等龙头盘中创历史新高，截至收盘 ，中芯国际总市值已达1.25万亿元
。

　　国内存储芯片市场的强势表现
，与行业周期反转
、AI需求爆发、国产化加速等因素共振有关。事实上，经过多年技术攻坚 ，长鑫存储 、长江存储等国产存储芯片已实现从追赶到并跑的跨越
，核心技术与国际巨头差距持续缩小 。今年5月，两大国产存储龙头均迎来关键资本节点 ，长鑫存储将于5月27日上会，长江存储也正式启动IPO辅导
。

　　多家券商研报显示
，存储行业产生了结构性超级周期，产品紧缺或延续至2027年甚至更久。目前 ，全球存储芯片产业格局中
，国产企业在中高端市场正在加速替代，低端市场凭借成本优势填补缺口实现全面主导 ，在政策扶持
、技术突破、产能释放等多重因素驱动下
，行业正进入加速突破期 。

　　寒武纪等续创新高中芯国际市值破1.2万亿

　　2026年5月以来，全球存储芯片板块呈现“国内外联动 、龙头领涨
、全线爆发
”的强势格局 ，A股相关概念股持续领跑市场
，海外存储巨头股价也同步创下历史新高，行业景气度获得资本市场高度认可
。

　　截至5月25日收盘 ，东芯股份、商洛电子 、华虹公司股价“20cm”涨停
，长电科技、通富微电
、华天科技等公司股价“10cm ”涨停，中芯国际、云汉芯城 、华大九天
、精测电子、国科微等公司股价涨幅超过10%创新高。

　　其中 ，龙头公司股价接连突破历史高位，兆易创新25日收盘收于515.60元／股
，涨幅10%，触及涨停并再度刷新新高 ，总市值突破3600亿元；中芯国际盘中也创下157.6元／股的历史新高
，截至收盘，公司总市值来到1.25万亿元 ，继续位居半导体板块首位；寒武纪股价也创下1435元／股的历史新高 。

　　今天存储芯片概念的继续爆发与华为公司提出的“韬（τ）定律”密切相关
。“韬定律
”提出以“时间缩微”替代“几何缩微 ”
，以系统性降低时间常数（韬τ）为目标，通过逻辑折叠等创新技术 ，持续压缩信号传播时延
，不断提升晶体管密度，实现半导体与电子系统的持续演进。

　　这是中国在全球半导体领域首次提出指导产业发展的新原则 。基于该定律 ，华为过去六年已成功设计并量产了381款芯片。“韬定律
”构建了贯穿器件 、电路
、芯片到系统层面的多层级协同优化体系
。华为预计到2031年
，基于该定律的高端芯片晶体管密度将达到1.4纳米制程的同等水平。

　　而5月份以来，大普微-UW股价已上涨160.06% ，位居板块首位，国科微、同有科技 、长电科技涨幅分别为86.87%
、82.32%、75.97%
，117家存储芯片概念股中有18家公司涨幅超过50%，108家公司股价实现正增长 。

　　如果从年内来看 ，存储芯片概念股中已有28家公司股价实现翻倍
，63家股价涨幅大于50%，101家股价正增长
。存储芯片指数年内上涨62.75% ，远超同期大盘的4.63%
，成为半导体产业链中最具赚钱效应的细分赛道。从资金流向来看，半导体资金持续向存储赛道集中 ，市场正在形成“业绩驱动-资金涌入-股价上涨”的正向循环 。

　　全球来看
，海外存储芯片巨头同样迎来股价与业绩的双重爆发，三星 、SK海力士及美光三大全球龙头 ，2026年一季度业绩均大幅超预期
，股价同步创下历史新高，带动全球存储板块行情共振
。

　　政策
、产业、周期共振共同推动行业景气度持续攀升

　　综合来看 ，国内存储芯片市场的强势表现，核心源于三大逻辑共振：一是行业周期反转
，2025年全球存储行业减产超30%，库存降至历史低位 ，2026年供需缺口持续扩大
，价格进入上行通道；二是AI需求全球爆发，AI服务器 、大模型训练带动HBM、企业级SSD需求激增 ，成为行业增长核心引擎；三是国产化加速
，国内政策大力扶持，长鑫存储
、长江存储产能释放 ，A股存储企业迎来业绩与估值双重提升。

　　国家层面
，政府持续出台专项政策，构建全方位存储产业扶持体系 ，为国产替代提供坚实政策保障 。4月份
，国家发改委等部门发布《关于做好2026年享受税收优惠政策的集成电路企业或项目、软件企业清单制定工作的通知》，明确线宽小于28纳米的存储企业可享受十年免征企业所得税的优惠政策 ，大幅降低头部厂商运营成本，助力产能快速释放
。

　　今年5月
，国家发改委在月度新闻发布会上明确，十五五新型算力基础设施投资预计超5万亿元 ，存储作为算力底座将获得重点支持
，重点推进AI存储 、企业级SSD
、HBM等高端产品研发与产业化。在此前，国家集成电路产业投资基金三期已完成募资 ，规模超3000亿元
，重点投向存储芯片、先进制程 、半导体设备等核心领域，为国产存储企业扩产与研发提供资金支撑 。

　　地方政府也同步跟进扶持政策 ，上海
、北京、合肥等半导体产业集聚地
，出台存储产业专项补贴政策，对长鑫存储 、长江存储等龙头企业的产能扩建项目给予高额度设备补贴 ，对存储芯片设计企业的研发投入给予大幅税收优惠
，构建“国家+地方 ”协同扶持格局
。此外，工信部也明确提出了国内DRAM
、NAND的自给率提升目标 ，清晰指出了产业发展方向。

　　国外市场方面，2026年以来
，三星、SK海力士 、美光也连续上调存储芯片价格，且明确三季度将继续提价 ，行业涨价周期持续延长 。TrendForce预测数据显示
，2026年二季度一般型DRAM内存的合约价将环比上涨58%-63%，而NAND闪存合约价则会环比上涨70%-75%。

　　同时 ，海外巨头也在调整产能结构
，将70%以上先进产能转向HBM
、DDR5、企业级SSD等高毛利AI专用产品，大幅缩减消费级DRAM/NAND产能
。美光已停掉部分消费级产品线 ，核心客户供应仅满足一半至三分之二
，进一步加剧普通存储供需紧张局面。此外，三大巨头HBM产能全部售罄 ，订单排至2027年
，高端AI存储供不应求格局持续强化 。

　　此外，消费电子 、汽车电子等行业需求复苏 ，也共同提振存储行业的景气度回升
。2025年全球智能手机、PC等消费电子市场持续回暖，2026年延续复苏态势
，带动中低端DRAM
、NAND需求稳定增长。汽车行业自动驾驶、智能座舱对车载存储需求激增，也助力全球车载存储市场成为存储的新增长极 。

　　两大国产龙头冲刺IPO 行业进入加速突破期

　　事实上 ，经过多年技术攻坚
，国产存储芯片已实现从追赶到并跑的跨越，核心技术与国际巨头差距持续缩小
。公开资料显示 ，长鑫存储芯片核心性能与国际一线产品差距不足5%
，成功实现高端DRAM产品自主可控；长江存储是国内唯一3D NAND存储芯片厂商，其自主研发的Xtacking架构已实现232层以上堆叠3D NAND量产 ，性能比肩三星 、SK海力士旗舰产品。

　　今年5月
，两大国产存储龙头迎来关键资本节点 。长鑫存储5月27日上会，长江存储正式启动IPO辅导 ，这是国产存储十年以来最大的资本事件
，标志着国产存储产业进入资本化发展新阶段
。

　　长鑫存储近日更新的科创板IPO招股书显示，今年一季度公司实现营收508亿元 ，实现归母净利润247.62亿元，单季盈利已超过科创板全部上市公司的归母净利润总和（剔除中芯国际
、华虹公司、百济神州等多地上市红筹企业）。长江存储也同步实现高增长
，2026年一季度营收同比增长超200%，3D NAND出货量全球占比提升至15% ，成为全球第三大NAND厂商 。两大龙头IPO落地后
，预计将募资超千亿元，用于产能扩建与技术研发 ，进一步缩小与国际巨头的产能差距
。

　　中信证券认为
，需求端来看，AI推理驱动eSSD成为NAND第一大下游（2026年占比37%）；HBM容量2025/2026年同比增长90% 、35%；供给端高端DRAM产能占比2026年超过85% ，消费级被挤压；库存降至4周（历史安全线以下）；DRAM/NAND价格2026将全年维持上涨。国产中长江存储／长鑫存储正在加速追赶
，存储进入长周期范式转移（超级成长，非周期反弹） ，供不应求至少持续至2027年底
，涨价贯穿2026全年 。

　　招商证券研报也显示，需求侧AI推理→Agentic AI→Physical AI三阶段拉动存储行业增长；2026年全球九大云厂商资本开支8300亿美元 ，同比增长79%；供给侧行业扩产周期为18–24个月，并且2027年前无大规模新增产能
，HBM订单已排至2027年，产能全售罄。AI驱动存储行业产生结构性超级周期 ，产品紧缺或延续至2027年甚至更久
。

　　目前
，全球存储芯片产业格局中，中高端市场国外厂商技术
、产能、生态等优势短期难以打破 ，但国产企业正在加速替代
，成为全球重要参与者；低端市场国际巨头又减产，国产企业凭借成本优势填补缺口实现了全面主导。在政策扶持 、技术突破
、产能释放等多重因素驱动下 ，国产存储芯片正进入加速突破期 。

（文章来源：新华财经）